Estudo pode levar à produção de dispositivo optoeletrônico mais eficiente

Marcio Daldin Teodoro, professor do Departamento de Física da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar), coordenou um estudo que determinou o acúmulo e a dinâmica das cargas nos diodos de tunelamento ressonante (RTD, do inglês resonant tunneling diode), em todo o intervalo de voltagem aplicado. Os resultados foram publicados no periódico Physical Review Applied

Por: José Tadeu Arantes, Agência FAPESP. Acesse aqui a matéria original.


“Os dispositivos baseados em RTDs dependem de vários parâmetros para sua operação, incluindo a excitação, o acúmulo e o transporte de cargas, e a relação entre essas propriedades. Até o momento, a densidade de carga nesses dispositivos era determinada nas regiões anterior e posterior à área de ressonância. Mas, na região da ressonância em si, que carrega as principais informações, ainda não havia sido determinada. Por meio de técnicas espectroscópicas avançadas e de técnicas de transporte eletrônico conseguimos determinar o acúmulo e a dinâmica das cargas em todo o dispositivo. A assinatura do tunelamento é um pico de corrente elétrica seguido por uma queda brusca, para um valor específico de voltagem que depende das características estruturais do RTD”, conta Teodoro. Saiba mais...


Imagem: Edson Rafael Cardozo de Oliveira

 

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