A pesquisadora Marina Sparvoli tem novo pedido de patente aceito pelo INPI; o trabalho com nova tecnologia para memória foi desenvolvido no IFUSP e conta com a colaboração de docentes da Escola Politécnica.
---
A patente se trata da fabricação de dispositivos de memória resistiva (ReRAMs) baseadas em grafeno e contato de ITON, um material derivado do ITO. A aplicação do ITON é inédita, uma vez que o material ainda é pouco estudado. Além disso, por ser transparente, abrem-se possibilidades futuras para pensar em dispositivos sensíveis à luz.
As memórias resistivas podem vir a ser substitutas para a tecnologia MOS (metal-oxide-semiconductor) pela questão da escalabilidade. São dispositivos não voláteis que ocupam espaço reduzido e operam pelo fenômeno de comutação resistiva, onde a resistência varia com algumas ordens de grandeza dependendo da tensão. A informação é guardada de forma binária, sendo que 0 corresponde a um estado de alta resistencia e 1 a um estado de baixa resistência. "Trata-se de uma proposta diferente para as memórias de computadores. Esse dispositivo pode trazer mudanças no paradigma de computação" - comenta a pesquisadora, atualmente Pós-Doutora pelo Instituto de Física USP com a supervisão do Prof. José Fernando Chubaci.
A pesquisa se iniciou em 2016, após uma visita à Universidade de Aveiro, onde houve um contato com grupo que trabalhava com a tecnologia. Na ocasião, Marina era Professora Visitante de Ciências da Computação na UFABC. "Na época quase não se viam trabalhos no Brasil sobre o assunto. Tudo era tratado de maneira muito teórica. Era muito difícil achar, no país, grupos para colaborar que estivessem trabalhando com o assunto." - relembra. Após mais de um ano de imersão, estudos e desenvolvimento, Marina teve a oportunidade de apresentar o trabalho em importantes eventos de área, como o Latin American Symposium on Circuits and Systems (LASCAS), em 2018 e 2019, o International Work-Conference on Artificial Neural Networks (IWANN 2021), e em um dos mais importantes eventos sobre Redes Neurais, o International Joint Conference on Neural Networks (2021).
Sobre os colegas que colaboraram no desenvolvimento do dispositivo e também constam no pedido da patente, Marina tece elogios e faz agradecimentos. A Fabio Jorge, físico do Lab. de Física Atmosférica do IFUSP, pela impecável construção do dispositivo físico e habilidades de construção do Software; ao pesquisador Guilherme Lenz, da Poli-Materiais, pela cessão do material e pelas ricas discussões sobre suas características (óxido de grafeno e outros); a Ronaldo Mansano, pesquisador da Poli-Elétrica, pelas medidas elétricas e, claro, ao Professor José Fernando Chubaci, seu supervisor do IFUSP, pelas medidas ópticas e pelo apoio integral ao projeto: "Ele aceita as ideias mais absurdas".
A respeito do processo de solicitação junto ao INPI, a pesquisadora elogia também a participação da equipe do InovaUSP, declarando o apoio deles como essencial. Além deste pedido, ela já tem 4 patentes homologadas e uma em processo. Para o futuro, Marina já tem uma possível nova patente em vista: seu novo trabalho, ainda com o supervisor Chubaci, envolve um sensor de celulose e conta com a parceria do IPEN. Ela permanece vinculada ao IFUSP até setembro de 2023.
Descrição da patente: DISPOSITIVO ReRAMs BASEADO EM GRAFENO E CONTATO DE ITON RECOZIDO COM DIFERENTES TEMPERATURAS
A invenção se refere a um dispositivo de memória do tipo ReRAMs que é baseado em grafeno e contato de ITON recozido em diferentes temperaturas. Para a fabricação, realizou-se uma deposição e caracterização dos materiais semicondutores, ou filmes finos. Na sequência, os dispositivos de memória foram fabricados e caracterizados. O dispositivo tem uma estrutura do tipo sanduíche, compreendendo pelo menos quatro camadas, uma camada inferior de substrato, que pode ser vidro, uma camada acima do substrato que pode ser de ITON, uma camada intermediária que pode ser de grafeno e uma última camada superior que pode ser de alumínio.
►Para mais informações sobre o trabalho, contate a pesquisadora Marina Sparvoli em msparvoli@gmail.com.
---
Ilustração do acervo da pesquisadora
