Estudo dos efeitos da radiação ionizante em dispositivos eletrônicos

Data de Início: 
quinta-feira, 17 Agosto, 2017 - 16:00
Palestrante: 
Prof. Dr. Nilberto Heder Medina - IFUSP
Local: 
Auditório Abrahão de Moraes - IFUSP

 

Atualmente, existe um grande interesse no desenvolvimento de dispositivos tolerantes à radiação para serem utilizados por longos períodos em ambientes hostis, como em satélites no espaço exterior, aviões, reatores nucleares e aceleradores de partículas. Para entender os fenômenos físicos responsáveis pelas alterações nos dispositivos expostos à radiação ionizante, devem ser considerados vários tipos de radiação, tais como: íons pesados, nêutrons, prótons, raios X e raios gama. O estudo do comportamento dos dispositivos submetidos a todos esses tipos de radiação é muito importante para o desenvolvimento de circuitos eletrônicos mais tolerantes à radiação. Neste colóquio será apresentado o desenvolvimento de metodologias de ensaios de radiação em circuitos e dispositivos eletrônicos que está sendo conduzido no Instituto de Física da USP.

INFORMAÇÕES SOBRE O PALESTRANTE: o Prof. Nilberto Medina tem graduação, mestrado e doutorado em Física pela Universidade de São Paulo e pós-doutorado pelo Istituto Nazionale di Fisica Nucleare - Sezione di Padova, com Livre docência pela Universidade de São Paulo a partir de 2011. Atualmente é Professor Associado junto ao Departamento de Física Nuclear do Instituto de Física da Universidade de São Paulo, atuando principalmente nos seguintes temas: Espectroscopia de raios gama em linha, Estrutura Nuclear,  Momentos Eletromagnéticos e Modelos Nucleares, Radiação Natural, Interação de íons com a matéria e Instrumentação Nuclear. Desenvolve ainda estudos sobre efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos.

 

Palavras-chaves: Radiação ionizante, efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos, íons pesados

Transmissão via IPTV - http://www.iptv.usp.br/portal/video.action?idItem=37418

 

 

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