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A possible roadmap for spintronic devices in wide bandgap semiconductors

Prof. Lucy Assali investigate the eletronic properties of lanthanide impurities (from Eu to Tm) in wurtzite gallium nitride and zinc oxide in a collaboration paper between the Institute of Physics and the Polytechnic School of the University of São Paulo. The first principles calculations results indicated that the 4f-related energy levels remain outside the bandgap in both materials.

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Young Author Award

O professor Ronaldo Rodrigues Pelá, do Departamento de Física do ITA, foi premiado na Conferência Internacional de Física de Semicondutores (ICPS) ocorrida de 29/07 a 03/08 no ETH em Zurique.

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Materiais 2D de fosforeno e grafeno

Uma nova área de pesquisa em materiais 2D tem explorado a combinação destes materiais 
em heteroestruturas verticais chamadas de cristais de van der Waals. Um trabalho 
realizado por membros do DFMT, com o objetivo de obter novas propriedades a partir do 
empilhamento apropriado, foi publicado Phys. Rev. Lett. e obteve destaque na segunda 
edição do BIFUSP. 

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van der Waals Heterostructure of Phosphorene and Graphene: 
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Estados Topológicos Persistentes 2D

 
A pesquisa em isolantes topológicos tem recebido grande atenção na física de semicondutores na atualidade. O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) no DFMT tem atuado ativamente na demonstração experimental de importantes características destes sistemas. Recentemente, a observação de um estado topológico bi-dimensional foi confirmada em poços quânticos largos e relatada em Phys. Rev. Lett pelos Profs Gusev e Levin. 
 
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III Mario Schenberg Meeting

The Third Mário Schenberg Meeting of the Department of Mechanics and Materials Physics took place on December 11, 2013, at the Institute of Physics. In the event was honored the career of late Prof. José Roberto Leite, through participation and testimonials from former students and research collaborators, who shared his brilliant career. Emphasis was given to his academic activity, and to the key role played by Prof.

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