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Ultrafast spintronic and optoelectronic devices: colaboração entre IOFFE e DFMT/USP

Desde o início de junho de 2016 está sendo realizado o projeto Hybrid magnetic nanostructures for ultrafast spintronic and optoelectronic devices, que é uma colaboração entre o Grupo Magneto-Óptica e Espectroscopia Não-Linear, liderado por André Bohomoletz Henriques, do DFMT, e Victor Pavlov, Professor Titular do Instituto Ioffe (São Petersburgo, Rússia) e da Technical University Dortmund (Alemanha). O objetivo é a pesquisa de materiais visando o desenvolvimnto de novos dispositivos eletrônicos e spintrônicos inteiramente controlados pela luz.

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All-optical control of giant magnetic polarons in a magnetic semiconductor

O trabalho Light-induced polaron magnetization in EuTe at temperatures reaching 150 K, publicado no Physical Review (Rapid Communications) em 9/5/2016,relata a primeira fotoexcitação e detecção óptica de pólarons magnéticos gigantescos em um semicondutor magnético intrínseco. O pólaron magnético descoberto é uma quasi-partícula, constituída de um elétron fotoexcitado em interação com milhares de átomos spin-polarizados em seu entorno. O momento magnético desta partícula foi medido no EuTe, obtendo-se mais do que 500 magnetons de Bohr, confirmando previsões teóricas.

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Colaboração SPRINT entre DFMT/IFUSP e University of Michigan

Uma proposta do DFMT foi selecionada pela FAPESP na Chamada 4/2015 do SPRINT (São Paulo Researchers in International Collaboration). A chamada estabeleceu condições para a submissão de propostas de colaboração entre pesquisadores do Estado de São Paulo e diversas instituições de ensino e pesquisa parceiras da Fundação no exterior.

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Laboratório de Novos Materiais Semicondutores

Procuramos alunos de Iniciação Científica, Mestrado, Doutorado e Pós-Doutorado interessados em projetos de pesquisa na área de nanotecnologia aplicada a celulas solares, lasers de cascata quântica e fotodetectores de radiação infravermelha. As pessoas interessadas podem entrar em contato com o Prof. Alain Quivy ((11) 3091-7147 ou aquivy@if.usp.br).

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New family of superconductor materials

By the controlled addition of doping impurities, Prof. Renato Jardim and collaborators from EEL-USP, UNIFEI and UNICAMP developed a new family of superconductors with relatively high critical temperature. In a recent paper, the hexagonal structure stabilization of the Nb5Ge3 compound doped with carbon atoms was reported.


Bortolozo, A. D. et al. Interstitial doping
induced superconductivity at 15.3K in

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A possible roadmap for spintronic devices in wide bandgap semiconductors

Prof. Lucy Assali investigate the eletronic properties of lanthanide impurities (from Eu to Tm) in wurtzite gallium nitride and zinc oxide in a collaboration paper between the Institute of Physics and the Polytechnic School of the University of São Paulo. The first principles calculations results indicated that the 4f-related energy levels remain outside the bandgap in both materials.

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