Ano Referêndia: 
2019
Departamento: 
FMT
Número USP: 
2803020
E-mail: 
Livro Científico com Corpo Editorial e ISBN: 
Bolsa de Produtividade CNPq: 
Nível: 
1B
Vigência - Início: 
01/03/2017
Vigência - Término: 
28/02/2020
Artigos: 
Título: 
Mesoscopic transport in two-dimensional topological insulators.
Autores: 
Gusev, G.M. ; KVON, Z.D. ; OLSHANETSKY, E.B. ; MIKHAILOV, N.N.
Mais que 20 autores: 
Não
Revista: 
SOLID STATE COMMUNICATIONS
volume: 
302
Página Inicial: 
113701
Título: 
Energy relaxation of hot carriers near the charge neutrality point in HgTe-based 2D topological insulators.
Autores: 
RAHIM, ABDUR ; Gusev, G.M. ; KVON, Z.D. ; OLSHANETSKY, E.B. ; MIKHAILOV, N.N. ; DVORETSKY, S.A.
Mais que 20 autores: 
Não
Revista: 
MICROELECTRONIC ENGINEERING
volume: 
206
Página Inicial: 
55
Página Final: 
59
Título: 
Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well.
Autores: 
Gusev, G. M. ; KVON, Z. D. ; LEVIN, A. D. ; OLSHANETSKY, E. B. ; Raichev, O. E. ; Mikhailov, N. N. ; Dvoretsky, S. A. .
Mais que 20 autores: 
Não
Revista: 
Scientific Reports
volume: 
9
Página Inicial: 
831
Página Final: 
831-7
Título: 
Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well.
Autores: 
Gusev, G M ; Raichev, O E ; OLSHANETSKY, E B ; LEVIN, A D ; KVON, Z D ; MIKHAILOV, N N ; DVORETSKY, S A .
Mais que 20 autores: 
Não
Revista: 
2D Materials
volume: 
6
Página Inicial: 
014001
Página Final: 
014001-11
Patente Nacional: 
Patente Internacional: 
Hora-aula diurno: 
Hora-aula Noturno: 
Livro Didático ou Paradidático: 
Participação em Banca Mestrado, Doutorado, Qualificação, ....: 
Participação em Banca de Concurso - Ingresso ou Promoção: 
Atividades de Extensão: 
Coordenação ou Organização de Exposição Científica: 
Palestra Convidada em Conferencia Internacional: 
Organização ou Coordenação de Reunião Científica: 

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