Resumo da palestra:

Camadas finas, multicamadas ou nanoestruturas crescidas por técnicas de epitaxia em um substrato cristalino orientado constituem-se em plataformas para o estudo de novas propriedades em física da matéria condensada.  A determinação das propriedades estruturais é essencial para o entendimento dos novos efeitos observados. Durante a palestra é apresentada uma visão geral das técnicas de difração e refletividade de raios X aplicadas à caracterização de camadas epitaxiais, multicamadas e nanoestruturas de materiais semicondutores, utilizando tanto difratômetros convencionais como radiação síncrotron. Ênfase é dada aos compostos semicondutores dos grupos IV-VI e V-VI crescidos por epitaxia de feixe molecular no LAS/INPE. A capacidade de se obter informação estrutural em escala nanométrica é explorada na apresentação.

Informação  sobre o palestrante:

O Prof. Abramof fez a graduação em Física na Universidade Federal de Minas Gerais (1983), o mestrado em Eletrônica e Telecomunicações no Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais – INPE - (1986) e o doutorado em Física da Matéria Condensada na  Johannes Kepler Universität Linz na Áustria (1993). Ingressou em 1986 como pesquisador no INPE, onde ocupa hoje o cargo de Tecnologista Sênior. Entre dezembro de 2001 e dezembro de 2006 foi Chefe do Laboratório Associado de Sensores e Materiais no INPE, e de dezembro de 2006 a agosto de 2012 foi Coordenador dos Laboratórios Associados do INPE. Assumiu o cargo de Coordenador de Planejamento Estratégico e Avaliação do INPE entre agosto de 2012 e maio de 2015. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: materiais semicondutores, técnicas de crescimento epitaxial, difração de raios X de alta resolução, medidas de transporte e propriedades elétricas e magnéticas de materiais.

Entrada franca

Rua do Matão, 1371 - travessa R

Transmissão no site: www.iptv.usp.br