Publicado por kmatsui em qui, 18/12/2025 - 11:04
Thalia Alves da Silva é mestranda em Engenharia Elétrica, com ênfase em Nanoeletrônica e Circuitos Integrados, no Centro Universitário FEI e atualmente trabalha em colaboração com o HEPIC. Durante os dias 29 de setembro e 3 de outubro, participou da RADiation and its Effects on Components and Systems Conference (RADECS), na Bélgica, apresentando seu trabalho desenvolvido em colaboração com o HEPIC.
Thalia e seu pôster na RADECS
Motivada pela paixão pela ciência e pela física com o incentivo da professora Marcilei A. Guazzelli, sua orientadora, participante do projeto Especial da FAPESP sediado no HEPIC, a aluna começou a pesquisar os efeitos da radiação em dispositivos semicondutores. A colaboração com o HEPIC se deu por meio do fornecimento de uma placa LGAD, pelo pesquisador Marco Leite, para a continuidade da pesquisa de Thalia.
A aluna, trabalha com a aplicação de Raios-X no LGAD (Low Gain Avalanche Detectors), um diodo semicondutor, composto por silício dopado que constitui o novo sistema HGTD (High Granularity Timing Detector) do ATLAS. O objetivo do projeto é entender quão robusto e eficiente é a placa, isto é, receber informações em menor tempo, sem que haja degradação do mesmo. Lá, foram apresentados os resultados de sua pesquisa, que atualmente focou em 3 valores de radiação aplicados à placa.
Thalia no laboratório da FEI
(Saiba mais sobre o desenvolvimento do LGAD em: Doutorando do HEPIC, Guilherme Saito, recebe prêmio da colaboração ATLAS do CERN e compartilha sua trajetória acadêmica:https://portal.if.usp.br/hepic/pt-br/noticias?q=node/547)
Seu projeto de mestrado é destinado à aplicação em experimentos de física de altas energias, como o ATLAS e o CMS. As pesquisas são desenvolvidas no Laboratório de Efeitos da Radiação Ionizante (LERI) da FEI e tem o objetivo de contribuir para o avanço do conhecimento científico na área da nanoeletrônica e dos detectores de partículas.
Além de apresentar os testes iniciais de sua pesquisa, que se deram por meio da aplicação de 3 valores de radiação, estudando capacitância versus tensão (C x V), corrente direta (If x V) e corrente reversa versus tensão (Ir xV).
Dentre seus resultados, é possível observar uma grande variação no funcionamento do dispositivo, dentre elas as características elétricas, diminuição da tensão de condução e degradação na região da avalanche. Ao final da condução dos experimentos, não foi observada uma recuperação completa das propriedades elétricas da placa, e essas alterações comprometeram a função do dispositivo. Já que as características do dispositivo não foram mantidas, os próximos passos de sua pesquisa serão estudar os novos LGADs do CNM, Centro Organizacional de Pesquisa do Instituto Paul Scherrer (PSI) com foco na utilização do Acelerador de Prótons de Alta Intensidade (HIPA) desse centro de pesquisa da Suíça.
Thalia, e Alexis Cristiano Vilas Bôas, doutorando do LERI-FEI na RADECS
Durante o evento, pôde participar de cursos e palestras, dentre elas de membros da ESA e NASA, explicando o que há de novo no mercado, novos estudos e novos efeitos da área, além de ter troca com os outros diversos participantes. Thalia destaca o contato com outros participantes:
“Ter contato com pesquisadores mais experientes é muito bom, imagina, você está em um lugar que vem um espanhol, depois um francês, um chinês falando, um monte de gente. O pessoal foi extremamente solícito e técnico, no bom sentido. É uma experiência única, muito boa. E principalmente, quando tem um aluno brasileiro, que a gente sabe que não é muito reconhecido. Quando vamos e mostramos nossa cara, nosso trabalho, isso é outra coisa, é muito bom! Representar o Brasil nesse tipo de conferência que há uma maioria europeia.”
Thalia agradece o apoio da USP e da RADECs que permitiram que ela participasse do evento.
“Minha paixão pela ciência teve início ainda na infância, quando visitei um observatório pela primeira vez. A experiência de observar o céu e compreender a imensidão do universo despertou em mim uma curiosidade genuína e um fascínio duradouro pela física e pela tecnologia.” Em 2014, iniciou um curso técnico em Eletrônica na ETEC Lauro Gomes, concluído em 2016, onde desenvolveu uma base sólida em eletrônica aplicada e sistemas embarcados. “Essa vivência técnica foi essencial para fortalecer meu interesse pela área e definir meu caminho acadêmico”. Formada em Engenharia de Automação e Controle no Centro Universitário FEI, durante a graduação, ela aprofundou seus conhecimentos em dispositivos semicondutores, instrumentação, controle e sistemas eletrônicos, consolidando uma visão científica voltada à inovação tecnológica. No ano passado, adentrou o mestrado em Engenharia Elétrica, com ênfase em Nanoeletrônica e Circuitos Integrados, também no Centro Universitário FEI.
