Um arranjo de fotoluminescência possibilita a análise de amostras entre 300 e 2200 nm com um laser de diodo de 100 mW (@660 nm) e detectores de de Si (300-1100 nm), InGaAs (600-2200 nm), Ge resfriado com N₂ (800-1900 nm) ou fotomultiplicadora de GaAs resfriada por Efeito Peltier (300-900 nm).  As medidas podem ser realizadas entre 77 e 300 K num criostato óptico.