Dissertações de mestrado
Cobertura de pontos quânticos de InAs pela técnica de epitaxia por migração aumentada.
Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAs.
Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras.
Fotodetectores de Radiação Infravermelha Fabricados com Pontos Quânticos de Submonocamada.
Determinação da corrente de escuro em fotodetectores de radiação infravermelha baseados em poços quânticos (QWIPS).
Modelagem de fotodetectores baseados em pontos quânticos que operam na faixa do infravermelho.
Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos quânticos de InAs.
Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs autoformados.
Espectroscopia a nível atômico usando um microscópio de tunelamento (STM).
Crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas para aplicação em dispositivos.
Propriedades ópticas de heteroestruturas semicondutoras de GaAs/AlGaAs.
Construção de um Microscópio de Tunelamento (STM) Operando no Ar.