Teses de doutorado

Otimização de pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs crescidos sobre GaAs(001) com uma reconstrução de superfície (2 x 4) para fotodetectores de radiação infravermelha

Ahmad Al Zeidan.  2023. Orientador: Alain André Quivy. Texto: [USP]

Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs

Tiago Fernandes de Cantalice.  2023. Orientador: Alain André Quivy. Texto: [USP]

Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs

Thales Borrely dos Santos.  2023. Orientador: Alain André Quivy. Texto: [USP]

Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho.

Marcel Santos Claro.  2017. Orientador: Alain André Quivy. Texto: [USP]

Study of indium segregation in self-assembled quantum dots.

Roberto Yuji Tanaka. 2014. Co-orientadora: Euzi Conceição Fernandes da Silva. Texto: [PDF]

Fotodetectores infravermelhos de alta eficiência baseados em poços quânticos crescidos por epitaxia de feixes moleculares.

Fernando Massa Fernandes.  2013. Orientador: Alain André Quivy. Texto : [USP]

Crescimento, fabricação e teste de fotodetetores infravermelhos de alto desempenho baseados em pontos quânticos.

Álvaro Diego Bernardino Maia. 2012. Orientador: Alain André Quivy. Texto : [USP]

Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos.

Tomás Erikson Lamas.  2004. Orientador: Alain André Quivy. Texto : [USP]

Estudo de propriedades magnéticas e de spin em semicondutores do grupo III-V.

Celso de Araujo Duarte.  2004. Orientador: Euzi Conceição Fernandes da Silva. Texto: [USP]

Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1.3 e 1.5μm.

Marcelo Jacob da Silva.  2003. Orientador: Alain André Quivy. Texto : [USP]

Estudo da Segregação do In em Camadas Epitaxiais de InxGa1-xAs crescidas sobre substratos de GaAs(001).

Sandro Martini. 2002. Orientador: Alain André Quivy. Texto : [USP]

O Efeito da Fotocondutividade e a Estrutura Eletrônica de Poços Quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com Dopagem Planar do Tipo n na Barreira.

Ademir Cavalheiro. 2001. Orientador: Euzi Conceição Fernandes da Silva. Texto : [USP]

Propriedades ópticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo n ou p.

Alexandre Levine. 1998. Orientador: Euzi Conceição Fernandes da Silva. Texto : [USP]