Teses de doutorado
Otimização de pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs crescidos sobre GaAs(001) com uma reconstrução de superfície (2 x 4) para fotodetectores de radiação infravermelha
Influência da segregação dos átomos de Índio sobre o desempenho de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamadas de InAs/GaAs
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs
Novas tecnologias para detecção infravermelha de alto desempenho.
Study of indium segregation in self-assembled quantum dots.
Fotodetectores infravermelhos de alta eficiência baseados em poços quânticos crescidos por epitaxia de feixes moleculares.
Crescimento, fabricação e teste de fotodetetores infravermelhos de alto desempenho baseados em pontos quânticos.
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos.
Estudo de propriedades magnéticas e de spin em semicondutores do grupo III-V.
Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1.3 e 1.5μm.
Estudo da Segregação do In em Camadas Epitaxiais de InxGa1-xAs crescidas sobre substratos de GaAs(001).
O Efeito da Fotocondutividade e a Estrutura Eletrônica de Poços Quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com Dopagem Planar do Tipo n na Barreira.
Propriedades ópticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo n ou p.