O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS), fundado em 1989 e coordenado até 2004 pelo Prof. Dr. José Roberto Leite (in memoriam), adquiriu em 1990 um sistema completo de epitaxia por feixe molecular (MBE) para fornecer à comunidade científica heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V de alta qualidade. Desde 1995, o Prof. Alain André Quivy é responsável pelo crescimento e pela caracterização de todas as amostras produzidas pelo sistema MBE do LNMS.

 

      Após uma ampla reforma do sistema MBE financiada pela FAPESP em 1998 e 1999, o laboratório foi capaz de produzir os mais variados tipos de amostras, desde camadas espessas dopadas até heteroestruturas de baixa dimensionalidade (poços e pontos quânticos) utilizadas tanto em pesquisa básica quanto em dispositivos avançados como diodos emissores de luz (LEDs), laseres semicondutores e transistores de alta mobilidade (HEMTs). Para caracterizar as amostras, o LNMS dispõe de experimentos de fotoluminescência (PL), fotoluminescência por excitação (PLE), efeito Hall e efeito Shubnikov-de Haas, assim como um microscópio de varredura de ponta (AFM, STM, MFM, EFM) que fornecem informações valiosas sobre as propriedades ópticas, elétricas e morfológicas das amostras crescidas.

 

      A partir de 2007, o Grupo de Epitaxia por Feixe Molecular, coordenado pelo Prof. Quivy, iniciou novas linhas de pesquisa aplicada relacionadas com a fabricação e investigação de dispositivos optoeletrônicos tais como fotodetectores de radiação infravermelha e células solares. Para alcançar estes objetivos, foi construída em 2015 uma nova sala limpa (classe 1000) de 18 m² (para procedimentos de litografia óptica), e foram instalados vários novos equipamentos e arranjos experimentais destinados ao processamento completo e à caracterização óptica, elétrica e morfológica destes dispositivos.