PhD thesis
Quantum dot optimization of InAs/GaAs submonolayer grown on GaAs(001) with a surface reconstruction (2 x 4) for infrared photodetectors
Influence of In segregation on the performance of infrared radiation photodetectors based on submonolayers InAs/GaAs quantum dots
Viability and development of GaAs intermediate band solar cells containing InAs/GaAs submonolayer quantum dots
New technologies for high performance infrared detection.
Study of indium segregation in self-assembled quantum dots.
High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular beam epitaxy.
Growth, fabrication and testing of high performance infrared photodetectors based on quantum dots. .
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos.
Estudo de propriedades magnéticas e de spin em semicondutores do grupo III-V.
Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1.3 e 1.5μm.
Estudo da Segregação do In em Camadas Epitaxiais de InxGa1-xAs crescidas sobre substratos de GaAs(001).
O Efeito da Fotocondutividade e a Estrutura Eletrônica de Poços Quânticos de GaAs/InGaAs/GaAs com Dopagem Planar do Tipo n na Barreira.
Propriedades ópticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo n ou p.