Comunicamos aos funcionários do Instituto de Física da USP não Docentes, que as inscrições para eleições dos representantes dos funcionários Gestão 2015/2016, 
foram prorrogadas até dia 30/01/15. Os candidatos interessados deverão se inscrever até dia 30 de janeiro de 2015, na Seção de Pessoal.
Venha participar, sua colaboração junto a esta nova Gestão será muito bem vinda, partiCIPA.

Seminário do Departamento de Física Nuclear

Palestrante: Alessandro Paccagnella, Department of Information Engineering, University of Padova / Italy.

"Terrestrial and space radiation effects on CMOS electronics: the case of non-volatile memories".

Data e horário: 17/12/2014, às 16h
Local: Sala de Seminários do DFN



USP, 17 December 2014
 

The main degradation phenomena affecting CMOS devices exposed to ionizing radiation are the total ionizing dose (TID) effects and the single event effects (SEE). TID derives from the accumulation of dielectric trapped charge and Si/oxide interface states, as a consequence of irradiation with many particles with low ionization power, i.e, low linear energy transfer (LET) coefficient. In general TID produces parametric shifts of electrical characteristics (e.g., Vt, gm) of the irradiated devices. SEEs derive from the charge released by a single high-LET ionizing particle, crossing the IC close to a sensitive node. SEEs may give rise to both recoverable soft errors (i.e., bit flip of one or more logic nodes or memory cells) and irreversible hard failures, such as gate oxide breakdown or device burn-out. While TID effects are deterministic, SEEs are stochastic in nature. In this seminar, we’ll present the variety of TID and SEE phenomena occurring in CMOS components exposed to i!
 onizing radiation, and their evolution with Moore’s law. In the last part of the seminar, we’ll focus on the effects affecting non-volatile memories (NVM), which feature the most advanced scaled technologies and even true 3-D integration, leveraging the results obtained during more than 10 years of work in the field by our group. This part will be mainly focused on floating gate NVMs featuring NOR or NAND architectures, including also results for novel memories, such as the phase change ones. Finally, we’ll examine reliability implications, significant for both the terrestrial and the space radiation environments.

Objetivo

O programa visa a concessão de bolsas para estágio pós-doutoral no exterior, nas áreas e temas que compõem o Programa Ciência sem Fronteiras (Portaria Interministerial Nº1, de 9 de janeiro de 2013), possibilitando dar maior visibilidade internacional aos ambientes de inovação brasileiros, em especial os Parques Científicos e Tecnológicos, e ampliar o potencial de desenvolvimento desses ambientes com o posterior retorno do bolsista. O referido estágio deverá ser realizado em ambientes de inovação internacionais de comprovada excelência, de acordo com as normas do Edital e da legislação aplicável à matéria.

Modalidade de bolsas e benefícios

Modalidade

• Estágio Pós-Doutoral

Benefícios

• Mensalidade
• Auxílio Seguro-saúde
• Auxílio Instalação
• Auxilio Deslocamento

Duração

• 6 meses, renovável por mais 6 meses (de acordo com desempenho do bolsista)

Inscrição

O candidato deverá realizar inscrição por meio do link nesta página, até às 23 horas e 59 minutos da data limite descrita no item 11 – Cronograma, observado o horário oficial de Brasília/DF.

Requisitos para candidatura

• Ser brasileiro ou estrangeiro com visto permanente no Brasil;
• Possuir o título de Doutor, reconhecido conforme legislação brasileira;
• Possuir vinculação com um Parque Científico e Tecnológico ou área de Inovação no Brasil, quando da inscrição neste Edital;
• Propor projeto de estudos dentro das áreas temáticas contempladas neste Edital;
• Preencher o Formulário de Inscrição, na modalidade pós-doutorado, cujo link estará disponível no site da CAPES até o dia 15 de março de 2015.

Fonte: http://www.capes.gov.br/cooperacao-internacional/multinacional/programa-...

Fonte:

http://prceu.usp.br/aprender/premiados-4o-simposio-aprender-com-cultura-...