Palestras

Resumo:: Nesta palestra serão apresentados alguns tipos de fotodetectores de  radiação infravermelha, suas principais aplicações, assim como as  principais etapas de sua fabricação: a fase de crescimento pela  técnica de epitaxia por feixe molecular, a fase de processamento  envolvendo fotolitografia, ataque químico e deposição dos contatos  metálicos, e finalmente a sequência de testes ópticos e elétricos dos  dispositivos.

Resumo: Ernest Rutherford é considerado o "pai" da Física Nuclear. Vou nessa palestra falar um pouco sobre a historia fascinante desse renomado cientista e de seu legado para a Física Nuclear e para a ciência. Dentre os legados de Rutherford está  a idéia de se utilizar aceleradores de partículas para se investigar a estrutura dos elementos.Vou então nessa palestra discorrer sobre duas linhas de pesquisa atuais e bastante ativas que utilizam aceleradores, a astrofísica nuclear e o estudo de núcleos exóticos.

PALESTRA 5:  Física de Cristais Iônicos e Física das Radiações: Aplicações em Dosimetria da Radiação e em Datações Arqueológicas e Geológicas
Palestrante: Prof. Shigueo Watanabe
Resumo: Um sólido pode ser encontrado na forma cristalina ou na forma amorfa. Um sólido cristalino ideal é caracterizado por seus íons constituintes estarem distribuídos periodicamente no espaço. Um cristal real caracteriza-se por apresentar defeitos na estrutura periódica acima mencionada.Esses defeitos criam uma situação que permite, por exemplos, que um cristal (real) previamente irradiada, emita luz ao ser aquecido; permite ainda incidindo um feixe de luz solar absorver alguns comprimentos de onda e a luz emerge colorida; permite ainda colocando o cristal num campo magnético e depois jogando uma microonda, absorver algumas frequências, como no caso anterior e produzir o que chamamos de uma ressonância paramagnética eletrônica. Nesses exemplos citados, o efeito é dependente da intensidade da radiação, o que permite usar um desses efeitos para medir a intensidade da radiação: é a dosimetria da radiação. Por outro lado, um fragmento de cerâmica ( dos antigos habitantes), a partir do momento que fica enterrado, começa receber a chamada dose da radiação do solo. Medindo essa dose, é possível determinar a idade da cerâmica.

PALESTRA 6: Formação, Modificação e Caracterização de Materiais por Feixes  Iônicos
Palestrante: Profs. José Fernando Diniz Chubaci e Masao Matsuoka
Resumo:  A utilização de feixe de íons para a formação, modificação e caracterização e materiais teve um grande avanço na década dos anos 80 e tem cada vez ampliado seus horizontes no desenvolvimento científico e tecnológico. Hoje em dia, praticamente, 100% de todos os circuito integrados (CIs) são produzidos com implante de íons. As aplicações vão desde a dopagem controlada para a produção dos CIs, a formação das camadas de cor nos monitores planos para computador, controle de propriedades de polímeros até o uso de aceleradores de íons para radioterapia e motores iônicos para posicionamento de satélites em órbita. No IFUSP temos equipamentos que permitem a caracterização de materiais por feixe de íons como o acelerador do LAMFI (Laboratório de Análise de Materiais por Feixe de Íons) ,,que tem capacidade de análise por RBS, PIXE e FRS e, o acelerador Pelletron, que é usado para a realização de medidas de ERDA, até os equipamentos de formação e modificação de materiais por deposição assistida por feixes de íons (IBAD) instalados no LACIFID (Laboratório de Cristais Iônicos, Filmes Finos e Datação) de Departamento de Física Nuclear. Neste curso apresentaremos o estado da arte das técnicas e métodos do uso de feixe de íons para a formação, modificação e caracterização de materiais e os estudos e pesquisas em desenvolvimento no IFUSP.

PALESTRA 7: Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos Eletrônicos 
Palestrante:  Prof. Nilberto H. Medina
Resumo:     Radiação ionizante que incide em dispositivos semicondutores pode alterar suas propriedades, modificando os parâmetros elétricos que os caracterizam e, no caso de memórias ou processadores, pode modificar a informação contida nesses dispositivos. A investigação e entendimento dos efeitos da radiação em componentes eletrônicos deve contribuir de forma relevante para o desenvolvimento de tecnologia aeroespacial nacional. Para compreender os fenômenos físicos responsáveis pelas alterações nos dispositivos expostos à radiação ionizante, experimentos são realizados utilizando vários tipos de radiação, como os raios-X, raios gama, prótons, partículas alfa e íons pesados. Os efeitos da radiação ionizante sobre dispositivos eletrônicos são divididos basicamente em três categorias: "Total Ionizing Dose" (TID), uma dose cumulativa que pode alterar as características do dispositivo eletrônico; "Single Event Effect" (SEE), um efeito transitório que pode depositar carga diretamente no dispositivo e perturbar as suas propriedades e "Displacement Damage" (DD) que provoca o deslocamento dos átomos do retículo cristalino. Está sendo desenvolvida uma metodologia para testes e caracterização de dispositivos eletrônicos quando submetidos à radiação induzida por raios-X, feixes de prótons e feixes de íons pesados. Os ensaios estão sendo realizados no IFUSP (prótons e íons pesados) produzidos pelos aceleradores do tipo Pelletron de 1,7 MV e 8,0 MV do Instituto de Física da USP e também no Centro Universitário da FEI (raios-X). Os testes estão sendo realizados em dispositivos eletrônicos comerciais e também em dispositivos mais tolerantes à radiação, desenvolvidos por grupos de pesquisa brasileiros.

PALESTRA 8: Conceitos Básicos e Aplicações de Física de Plasmas
Palestrante: Prof. Ricardo Galvão
Resumo: Será feita uma apresentação dos conceitos básicos e das aplicações de  Física de Plasmas, desde plasmas astrofísicos até plasmas  termonucleares, passando pelas aplicações industriais de plasmas.