O Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS), fundado em 1989 e coordenado até 2004 pelo Prof. Dr. José Roberto Leite (in memoriam), adquiriu em 1990 um sistema completo de epitaxia por feixe molecular (molecular beam epitaxy, MBE) para fornecer à comunidade científica heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V (arsenetos) de alta qualidade. Desde 1995, eu (Prof. Dr. Alain André Quivy) sou responsável pelo crescimento e pela caracterização de todas as amostras produzidas no LNMS. Após uma ampla reforma financiada pela FAPESP em 1998 e 1999, o sistema foi capaz de produzir os mais variados tipos de amostras, desde camadas espessas dopadas até heteroestruturas de baixa dimensionalidade (poços e pontos quânticos) utilizadas tanto em pesquisa básica quanto em dispositivos avançados como diodos emissores de luz (light-emitting diodes, LEDs), laseres semicondutores e fotodetectores. Para caracterizar as amostras, temos à nossa disposição no laboratório as técnicas de fotoluminescência (photoluminescence, PL), fotoluminescência por excitação (photoluminescence excitation, PLE) e fotorefletância (photoreflectance, PR) no infravermelho e no ultravioleta, assim como as técnicas de efeito Hall e efeito Shubnikov-de Haas que fornecem informações valiosas sobre as propriedades ópticas e elétricas das amostras crescidas. Outras técnicas experimentais tais como microscopia de força atômica (atomic-force microscopy, AFM), microscopia eletrônica de varredura (scanning electron microscopy, SEM) e de transmissão (transmission electron microscopy, TEM) assim como a difração de raios x estão igualmente à nossa disposição graças às colaborações que mantemos com vários grupos brasileiros (Laboratório de Filmes Finos do IFUSP, Laboratório Nacional de Luz Síncrotron e Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais).
