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Por Ademir Rodrigues, responsável pela distribuição de atividades acadêmicas e didáticas nos espaços do IFUSP.

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*Novas informações em 24/07: 

Caros Professores e Colegas, acabamos de ser informados pela Assistência Técnica Operacional de que mais uma interdição de auditório está em andamento. Para subsidiar o planejamento de seus próximos eventos, Defesas de Tese, Provas, Seminários, Aulas, Journal Clubs e quetais, cumpre-me informar que se segue.

Além dos auditórios Giuseppe Occhialini, interditado em novembro de 2023 e  Gleb Wataghin interditado em fevereiro de 2024, teremos, a partir de 21 de julho próximo, a interdição do Auditório Adma Jafet para obras internas de reparo. Não podendo contar com esse espaço, teremos que transferir os Seminários Gerais de Ensino de Ciências e os Seminários do Grupo de Fluidos Complexos para algum dos auditórios remanescentes do Edifício Principal.

Da mesma sorte, as aulas previstas no Adma Jafet deverão ser alocadas no EP. Como ainda estou ultimando os trabalhos de distribuição das disciplinas do próximo semestre pelos espaços didáticos, assim que concluir, informarei aos setores os locais reservados para seus eventos.

Como é de conhecimento geral, obras de reparo quase sempre têm data de início, porém, por intercorrências de diversas espécies que retardam os trabalhos contratados, quase nunca tem data de término.

Assim que tiver notícia sobre a conclusão das obras, voltarei a informá-los.

Dos autores Saulo G. Alberton, Alexis C. V. Bôas, Jeffery Wyss, Vitor A. P. Aguiar, Matheus S. Pereira, Luca Silvestrin, Serena Mattiazzo, Alessandro Paccagnella, Carlo Cazzaniga, Maria Kastriotou, Christopher D. Frost, e Nilberto H. Medina. Publicado em IEEE Access.

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Abstract:

The vulnerability of prominent silicon-based U-shaped Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (UMOSFETs) to destructive radiation effects when operating in terrestrial atmospheric environments is investigated. Secondary particles from nuclear reactions between atmospheric neutrons and the constituent materials of electronic devices can trigger Single-Event Burnout (SEB), a destructive failure in power MOSFETs. The susceptibility of UMOSFETs to SEBs induced by atmospheric neutrons in accelerated tests is compared to that of similarly rated traditional Double-diffused MOSFETs (DMOSFETs) counterparts. Computational simulations are conducted to elucidate the failure mechanisms and propose strategies to potentially enhance the survivability of next-generation UMOSFETs in high-reliability power systems operating on Earth.

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Dos autores Saulo G. Alberton, Vitor A. P. Aguiar, Nemitala Added, Alexis C. Vilas-Bôas, Marcilei A. Guazzelli, Jeffery Wyss, Luca Silvestrin, Serena Mattiazzo, Matheus S. Pereira, Saulo Finco, Alessandro Paccagnella e Nilberto H. Medina.
Publicado em Electronics.

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Abstract:

The U-shaped Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (UMOS or trench FET) is one of the most widely used semiconductor power devices worldwide, increasingly replacing the traditional vertical double-diffused MOSFET (DMOSFET) in various applications due to its superior electrical performance. However, a detailed experimental comparison of ion-induced Single-Event Burnout (SEB) in similarly rated silicon (Si) UMOS and DMOS devices remains lacking. This study presents a comprehensive experimental comparison of ion-induced charge collection mechanisms and SEB susceptibility in similarly rated Si UMOS and DMOS devices. Charge collection mechanisms due to alpha particles from 241Am radiation source are analyzed, and SEB cross sections induced by heavy ions from particle accelerators are directly compared. The implications of the unique gate structure of Si UMOSFETs on their reliability in harsh radiation environments are discussed based on technology computer-aided design (TCAD) simulations.

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Por Luís Carlos de Menezes
Em 07/07/2025

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Milhares de jovens tiveram seus primeiros contatos com as ideias científicas no Show da Física, e tantos outros estudantes contaram com seu apoio em sua iniciação no Laboratório de Demonstrações de nosso Instituto, todos com o entusiasmado acolhimento do Professor Fuad. Também boa parte dos pós-graduandos e dos professores do Instituto de Física que estudaram aqui foram seus alunos no início da graduação, e posso atestar sua permanente simpatia e boa vontade, pois convivi com ele por décadas e não me recordo, em qualquer oportunidade, de o haver encontrado pouco receptivo. 

 A carreira de Fuad Daher Saad foi consistentemente voltada ao ensino da Física, desde sua função como professor em várias escolas públicas, em seu mestrado, doutorado e livre-docência em nosso Instituto, ou nos mestrados que orientou e bancas de que participou. Parte das atividades que exerceu contou com sua colaboração desde a concepção, como foi o caso do Show da Física ou do projeto FAI, Física Auto-Instrutiva. Trabalhou também em outras instituições, frequentemente em funções de coordenação, como no IBECC, Instituto Brasileiro de Educação Científica, ou no Museu Catavento de Cultura e Educação. 

Há cerca de meio século, nosso Instituto passou a dedicar especial atenção à formação de professores, o que levou alguns cientistas, como Ernst Hamburger ou eu mesmo, a redirecionarem para isso suas carreiras acadêmicas. Mas o Professor Fuad e vários outros já chegaram e prosseguiram seu trabalho em função desse propósito, o que tem permitido maior consistência à nossa licenciatura. 

As modificações pelas quais recentemente tem passado a educação básica em nosso país estão demandando também das universidades reformulação correspondente, o que não está sendo fácil de implementar, e, para tanto, seria essencial contar com a vasta experiência de professores como ele, que nos deixou no dia 4 deste mês. Também por isso, e sobretudo pelos vínculos de companheirismo e amizade, nosso Departamento e todo o nosso Instituto estamos e estaremos lamentando sua falta.