Sobre a Visita

O Departamento de Física dos Materiais e Mecânica do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (DFMT/IFUSP) recebe, até o final de maio, o Prof. Dr. Aleksandr Jaroshevich, do Institute of Semiconductor Physics, em Novosibirsk - Rússia. A visita, realizada de 1º de março a 31 de maio de 2026, está sob a coordenação do Prof. Dr. Gennady Gusev.

Especialista em transporte quântico, o Prof. Jaroshevich é autor de inúmeras publicações sobre propriedades eletrônicas de poços quânticos e isoladores topológicos. Sua expertise é de grande relevância para as atividades do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da USP (LNMS-IFUSP). A colaboração entre o DFMT/IFUSP e o instituto russo já resultou em artigos publicados em revistas de alto impacto, como Physical Review B e Physical Review Letters, além de apresentações em conferências internacionais sobre sistemas bidimensionais, nanotecnologia e transporte eletrônico sob campos magnéticos elevados.

O foco da visita é o projeto "Hidrodinâmica de Elétrons em Condutores Mesoscópicos 2D: O Paradoxo de Corbino", que investiga experimentalmente o transporte quântico e os efeitos hidrodinâmicos em gases eletrônicos bidimensionais, incluindo poços quânticos de GaAs. O projeto busca compreender fenômenos associados à viscosidade eletrônica, ao regime hidrodinâmico de transporte e à dinâmica coletiva de elétrons em condutores mesoscópicos.

Os objetivos incluem a identificação de novos fenômenos físicos, a ampliação do conhecimento sobre transporte eletrônico em sistemas de baixa dimensionalidade e a verificação experimental de teorias existentes. Os resultados podem contribuir para o desenvolvimento de novas áreas e aplicações tecnológicas, como a vistrônica/viscotronica, baseada no controle da viscosidade eletrônica, além de outros dispositivos eletrônicos avançados.

Essa parceria internacional reforça o compromisso do DFMT/IFUSP com a pesquisa de ponta em física de semicondutores, promovendo avanços fundamentais e tecnológicos em materiais quânticos, transporte eletrônico e dispositivos de nova geração.