Todas Notícias

Colaboração SPRINT entre DFMT/IFUSP e University of Michigan

Uma proposta do DFMT foi selecionada pela FAPESP na Chamada 4/2015 do SPRINT (São Paulo Researchers in International Collaboration). A chamada estabeleceu condições para a submissão de propostas de colaboração entre pesquisadores do Estado de São Paulo e diversas instituições de ensino e pesquisa parceiras da Fundação no exterior.

Português, Brasil

Laboratório de Novos Materiais Semicondutores

Procuramos alunos de Iniciação Científica, Mestrado, Doutorado e Pós-Doutorado interessados em projetos de pesquisa na área de nanotecnologia aplicada a celulas solares, lasers de cascata quântica e fotodetectores de radiação infravermelha. As pessoas interessadas podem entrar em contato com o Prof. Alain Quivy ((11) 3091-7147 ou aquivy@if.usp.br).

Leia mais

Português, Brasil

New family of superconductor materials

By the controlled addition of doping impurities, Prof. Renato Jardim and collaborators from EEL-USP, UNIFEI and UNICAMP developed a new family of superconductors with relatively high critical temperature. In a recent paper, the hexagonal structure stabilization of the Nb5Ge3 compound doped with carbon atoms was reported.


Bortolozo, A. D. et al. Interstitial doping
induced superconductivity at 15.3K in

Português, Brasil

Materiais 2D de fosforeno e grafeno

Uma nova área de pesquisa em materiais 2D tem explorado a combinação destes materiais 
em heteroestruturas verticais chamadas de cristais de van der Waals. Um trabalho 
realizado por membros do DFMT, com o objetivo de obter novas propriedades a partir do 
empilhamento apropriado, foi publicado Phys. Rev. Lett. e obteve destaque na segunda 
edição do BIFUSP. 

Read more:
van der Waals Heterostructure of Phosphorene and Graphene: 
Português, Brasil

Young Author Award

O professor Ronaldo Rodrigues Pelá, do Departamento de Física do ITA, foi premiado na Conferência Internacional de Física de Semicondutores (ICPS) ocorrida de 29/07 a 03/08 no ETH em Zurique.

Português, Brasil

Topological Insulators at FMT

In field of topological insulators, the article "Nonlocal Transport Near Charge Neutrality Point in a Two-Dimensional Electron-Hole System” published in PRL 108, 226804 (2012) by Prof. Gusev, Prof. Levine and collaborators was selected for the Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology.   

Português, Brasil

Transport under Microwaves

A new class of nonequilibrium phenomena is expected when a low-dimensional electron gas, subjected to a weak magnetic field, is also irradiated with microwaves. In a recent publication, an experimental work in the LNMS at DFMT-IFUSP provides evidence for an edge-state current stabilized by microwave irradiation.
“ Microwave-induced nonlocal transport in a two-dimensional electron system”

Português, Brasil

Páginas