Alunos de graduação e de outras instituições de ensino podem se matricular na disciplina mediante a apresentação de alguns documentos. Para saber mais, clique aqui.
A disciplina vale 2 créditos e será ministrada em inglês.
PGF5296 EFEITOS DA RADIAÇÃO EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
Objetivos
Fornecer informações atuais sobre o desenvolvimento do estudo dos efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos.
Justificativa
Está sendo iniciado no Instituto de Física da USP o desenvolvimento de metodologias para o estudo dos efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos. Este desenvolvimento visa principalmente à qualificação de pessoal neste campo de pesquisa.
Conteúdo
Single Event Effects in Microelectronics, Physical Description
Total Ionization Effects
Displacement Damage Dose Effects
Simulation of Single Event Effects in Microelectronics
Electrical Simulation (I/V)
Solid State Physics Simulation (TCAD)
Emulation of SEE with Pulsed Laser
Experimentation in Accelerators
Simulation of Particle Transport in Microelectronics
Experiments with Microprobe in a Tandem Accelerator
Experiments with Protons in a Cyclotron
Experiments with pulsed laser
Bibliografia
Texto Principal: “Sobre Eventos Singulares en CMOS Digital”, Francisco Rogelio Palomo Pinto, Universidad de Sevilla, 2012
Outros Textos: “Radiation Effects on Embedded Systems, ed. by R. Velasco et al, Springer, 2007
“Handbook of Radiation Effects, A.G. Holmes-Siedle, L. Adams, Oxford University Press, 2002
“Single Events Effects in Aerospace”, Edward Petersen, Wiley-IEEE Press, 2011