Minicurso

Alunos de graduação e de outras instituições de ensino podem se matricular na disciplina mediante a apresentação de alguns documentos. Para saber mais, clique aqui
A disciplina vale 2 créditos e será ministrada em inglês

PGF5296 EFEITOS DA RADIAÇÃO EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

Objetivos


Fornecer informações atuais sobre o desenvolvimento do estudo dos efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos.

Justificativa

Está sendo iniciado no Instituto de Física da USP o desenvolvimento de metodologias para o estudo dos efeitos da radiação em dispositivos eletrônicos. Este desenvolvimento visa principalmente à qualificação de pessoal neste campo de pesquisa.

Conteúdo

Single Event Effects in Microelectronics, Physical Description 
Total Ionization Effects 
Displacement Damage Dose Effects 
Simulation of Single Event Effects in Microelectronics 
Electrical Simulation (I/V) 
Solid State Physics Simulation (TCAD) 
Emulation of SEE with Pulsed Laser 
Experimentation in Accelerators 
Simulation of Particle Transport in Microelectronics 
Experiments with Microprobe in a Tandem Accelerator 
Experiments with Protons in a Cyclotron 
Experiments with pulsed laser

Bibliografia

Texto Principal: “Sobre Eventos Singulares en CMOS Digital”, Francisco Rogelio Palomo Pinto, Universidad de Sevilla, 2012 
Outros Textos: “Radiation Effects on Embedded Systems, ed. by R. Velasco et al, Springer, 2007 
“Handbook of Radiation Effects, A.G. Holmes-Siedle, L. Adams, Oxford University Press, 2002 
“Single Events Effects in Aerospace”, Edward Petersen, Wiley-IEEE Press, 2011